【摘 要】
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采用射频反应磁控溅射法在Si（111）基片上制备了高度c轴择优取向的ZnO薄膜,采用X线衍射（XRD）、X线光电子能谱（XPS）分析方法研究了退火对ZnO薄膜结构及缺陷的影响。结果表明,随着退火
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,中国电子科技集团公司第26研究所
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采用射频反应磁控溅射法在Si（111）基片上制备了高度c轴择优取向的ZnO薄膜,采用X线衍射（XRD）、X线光电子能谱（XPS）分析方法研究了退火对ZnO薄膜结构及缺陷的影响。结果表明,随着退火温度的上升,薄膜的择优取向及取向一致性更好,晶化程度增高,晶粒尺寸变大。退火使更多的Zn间隙原子回到晶格位置,并弥补薄膜中氧的不足,且高温退火易引起氧的解析,三者相互作用使晶面间距随着退火温度的上升而逐渐变小,压应力变大,ZnO中的O含量逐渐减少,Zn/O的原子比逐渐接近于1。
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