Y3Al5O12：Eu^3＋磷光体的溶胶—凝胶法合成及发光特性

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：qzhair

【摘要】

：

以金属烷氧基化合物为原料,采用溶胶-凝胶法在1 000℃下合成了Eu3+掺杂的Y3Al5O12(YAG)磷光体.利用TG-DSC,XRD和发光光谱等对样品进行了表征.结果表明,YAG∶Eu3+的晶相形成温

【作者】

：

周建国赵凤英赵宝林夏树屏高世扬

【机构】

：

兰州大学,河南师范大学,郑州牧业高等专科学校,中国科学院盐湖研究所,兰州大学

【出处】

：

发光学报

【发表日期】

：

2003年3期

【关键词】

：

Y3Al5O12:Eu^3+ 铕离子掺杂磷光体钇铝石榴石溶胶-凝胶法合成发光特性锻烧温度发光材料 sol-gel method Y_3Al_5O

【基金项目】

：

河南省自然科学基金，河南省教育厅科研项目，河南省高校青年骨干教师资助项目

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

以金属烷氧基化合物为原料,采用溶胶-凝胶法在1 000℃下合成了Eu3+掺杂的Y3Al5O12(YAG)磷光体.利用TG-DSC,XRD和发光光谱等对样品进行了表征.结果表明,YAG∶Eu3+的晶相形成温度为991℃.Eu3+在非晶态和晶态YAG中的发射光谱有明显差异.研究了Eu3+含量和烧结温度对Eu3+的5D0→7F1和5D0→7F2发射峰强度的影响.随煅烧温度的升高和Eu3+浓度的增加,Eu3+发射峰强度增强.

其他文献

晶体离子质量差异对激活离子声子参助能量传递几率的影响

在已有理论模型的基础上讨论了基质晶体离子质量差异对激活离子声子参助能量传递几率的影响.结果表明基质离子的质量差异除了导致声子频率的变化从而影响其声子参助能量传递

期刊

晶体离子质量差异能量传递声子参助过程声子频率能量传递几率发光效率发光材料mass difference between host ionsene

氧化物膜包覆碱土硫化物荧光粉的研究

采用湿法在碱土硫化物为基质的红色长余辉发光材料Ca0.8Sr0.2S:Eu2+,Tm3+表面包覆一层惰性的氧化物膜,使其与外界的环境相隔离,从而提高其化学稳定性.用XRD、SEM及能谱表征了

期刊

碱土硫化物荧光粉稳定性表面包覆alkaline earth sulfide phosphor stability oxide coating

包埋于氮化硅薄膜中的硅团簇的光致发光特性

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在低温下制备了富硅氢化氮化硅薄膜.利用红外吸收(IR)谱,光电子能谱(XPS)和光致发光(PL)谱,研究了在不同温度下退火的薄膜样品的结

期刊

等离子体增强化学气相沉积光致发光硅团簇量子限制效应PECVD photoluminescence Si clusters quantum conf

PbWO4闪烁晶体的发光动力学模型

在对PbWO4闪烁晶体的光谱特性、发光衰减及其温度依赖以及热释光的研究基础上,并结合理论计算,提出了PbWO4晶体发光的动力学模型,给出了PbWO4晶体的基本能带结构及激子发光中

期刊

PBWO4晶体闪烁晶体发光动力学模型光谱特性发光衰减热释光能带结构能隙钨酸铅晶体scintillator PbWO_4 crystal l

Si（100）衬底上n—3C—SiC／p—Si异质结构研究

利用LPCVD方法在Si(100)衬底上获得了3C-SiC外延膜,扫描电子显微镜(SEM)研究表明3C-SiC/p-Si界面平整、光滑,无明显的坑洞形成.研究了以In和Al为接触电极的3C-SiC/p-Si异质结

期刊

硅衬底Si(100)衬底n-3C-SiC/p-Si异质结结构研究3C-SiC外延膜碳化硅扫描电子显微镜SEM3C-SiC/Si heteroju

蓝色荧光粉光谱特征对FED性能影响的色度学模拟计算

场发射显示器(field emissive display,FED)是一种新近发展起来的低压阴极射线平板显示器.Y2SiO5:Ce被筛选为这种显示器的蓝色荧光材料.然而该荧光粉发射光谱的峰值波长在410

期刊

场发射显示器发光效率色度学模拟计算FED efficiency chromaticity simulation

基于有限元参数化设计的碳纳米管的场致增强因子计算

碳纳米管由于尺寸极小,它具有很大的场增强因子,且场发射稳定,这些特性使碳纳米管成为一种性能优良的场致发射材料.影响碳纳米管发射电流的重要参数是场增强因子,这需要求解

期刊

碳纳米管电场强度长径比场增强因子CNT electric field aspect ratio electric field enhancemen

RTA对氮化硅薄膜发光光谱的影响

在5.0eV的激光激发下,在室温下富硅的LPCVD氮化硅薄膜可发射六个PL峰,其峰位分别为2.97, 2.77, 2.55, 2.32, 2.10, 1.9eV.经900～1 100℃在N2气氛下快速退火(RTA)处理后,样品的

期刊

发光光谱LPCVD氮化硅薄膜快速退火RTAlow pressure chemical vapor deposition (LPCVD) silico

Y3Al5O12：Eu^3＋磷光体的溶胶—凝胶法合成及发光特性

其他学术论文