论文部分内容阅读
研究了较低掺杂浓度时ＩｎＡｓ量子点中直接掺杂Ｓｉ对其发光特性的影响。光致发光谱（ＰＬ）的测量表明，与未掺杂样品相比，掺杂样品发光峰稍微蓝移，同时伴随着发光峰谱线明显变窄。该结果表明，在生长ＩｎＡｓ层时直接掺杂，有利于形成大小分布更均匀的小量子点。该研究对ＩｎＡｓ自组织量子点在器件应用方面有一定的意义。