【摘 要】
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以高纯α相氮化硅为原料,Y2O3为烧结助剂,采用放电等离子烧结制备氮化硅陶瓷.研究烧结温度对陶瓷导热性能和力学性能的影响,以及经过后续常压热处理的性能变化.结果表明,放电等离子烧结(1600～1700℃)可制备致密度大于99％的氮化硅陶瓷,其中,在1700℃烧结制备的氮化硅陶瓷具有较好的综合性能.经过1750℃常压热处理后,晶粒尺寸进一步增大,液相由非晶态转化为结晶态,所有样品的第二相组成均为Y5Si3O12N.陶瓷抗弯强度由551提高至775 MPa,热导率由43.6提高至61.1 W/(m·K).
【机 构】
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北京科技大学新材料技术研究院,北京100083
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以高纯α相氮化硅为原料,Y2O3为烧结助剂,采用放电等离子烧结制备氮化硅陶瓷.研究烧结温度对陶瓷导热性能和力学性能的影响,以及经过后续常压热处理的性能变化.结果表明,放电等离子烧结(1600～1700℃)可制备致密度大于99％的氮化硅陶瓷,其中,在1700℃烧结制备的氮化硅陶瓷具有较好的综合性能.经过1750℃常压热处理后,晶粒尺寸进一步增大,液相由非晶态转化为结晶态,所有样品的第二相组成均为Y5Si3O12N.陶瓷抗弯强度由551提高至775 MPa,热导率由43.6提高至61.1 W/(m·K).
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