【摘 要】
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根据晶体自发成核几何淘汰规律,结合ZnGeP2晶体的结晶习性,研究设计出生长完整ZnGeP2单晶体的双层镀碳石英安瓿,其关键技术参数为：安瓿长径比6～7,籽晶袋长度≥25mm,安瓿主体与
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根据晶体自发成核几何淘汰规律,结合ZnGeP2晶体的结晶习性,研究设计出生长完整ZnGeP2单晶体的双层镀碳石英安瓿,其关键技术参数为：安瓿长径比6～7,籽晶袋长度≥25mm,安瓿主体与籽晶袋之间的放肩角在25°左右。在上述生长安瓿中,采用改进的垂直布里奇曼法,分段控制下降速率,成功生长出尺寸为22mm×40mm的ZnGeP2单晶。对晶体进行X射线分析,获得（204）面单晶衍射谱和回摆谱,衍射峰峰形尖锐无劈裂,回摆谱对称性好,半峰宽为0.063°;晶片在2～12μm波段范围
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