【摘 要】
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以高纯的硅质原料和碳质原料为合成原料,采用多热源法在真空条件下合成出了β-SiC微粉。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、化学分析及激光粒度分析仪等分析测试手段对
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以高纯的硅质原料和碳质原料为合成原料,采用多热源法在真空条件下合成出了β-SiC微粉。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、化学分析及激光粒度分析仪等分析测试手段对合成产物进行了表征。结果表明,合成产物晶相为β-SiC,纯度达99%以上,一级品中晶体颗粒多为半自形体和自形体。温度越高,合成的β-SiC微粉晶型程度越好,纯度也相应的提高。当温度超过1758℃时,合成产物由β-SiC转变为α-SiC。
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