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采用真空高频感应加热法制备ＳｒＴｉＯ３晶界层电容器半导瓷，研究了掺杂材料、参 、烧结温度、保温时间、成型密度等对半导瓷性能结构的影响，所制备的半导 经二次烧结成的ＳｒＴｉＯ３ＢＬＣ其视在介电常数Ｋｅｆｆ〉３×１０＾４，损耗角正切ｔａｎδ≈１０＾－２，绝缘电阻率ρ〉１０＾１０Ω．ｃｍ。
高频感应加热法制备 SrTiO_3 BLC 半导瓷
【摘 要】
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采用真空高频感应加热法制备ＳｒＴｉＯ３晶界层电容器半导瓷，研究了掺杂材料、参 、烧结温度、保温时间、成型密度等对半导瓷性能结构的影响，所制备的半导 经二次烧结成的ＳｒＴｉＯ３ＢＬＣ其视在介电常数
【机 构】
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东南大学电子工程系
【出 处】
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东南大学学报：自然科学版
【发表日期】
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1997年6期
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