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采用传统陶瓷工艺制备MgZn软磁铁氧体材料，分析了Cu、Mn替代以及微量掺杂对材料性能的影响。实验结果表明适量Cu、Mn取代Mg可提高材料的分子磁矩，从而提高饱和磁化强度，同时增强超交换作用，通过微量Bi2O3、V2O5掺杂可改善材料显微结构，减少材料气孔，提高致密性，使材料具有高饱和磁通密度风、高磁导率μi、高居里温度TC、高绝缘电阻ρ等优良性能，并使材料具有良好的直流叠加特性，从而满足大功率电感元件的性能要求。实验表明Mg0.21Mn0.12Cu0．15Zn0.52Fe2O4为主配方添加0．2％Bi2