论文部分内容阅读
用紫外荧光发射谱较系统地研究了纳米非晶氮化硅块体(粒径～10nm)的能态结构,观察到三个发射带,它们分别对应2.0、2.8和3.2eV.随热处理温度升高,峰高增大,低真空下1000℃退火又出现一个新峰,对应3.0eV.分析表明,2.0和3.2eV 发射峰与纳米非晶氮化硅高比例界面中 Si 悬键形成受主型和施主型局域态能级有关.能级2.0eV 和3.2eV 分别对应导带电子与受主型缺陷局域态空穴复合及施主型缺陷局域态电子及价带空穴复合,只有在高温(1000℃)退火才出现的3.0eV 发射带与O-Si-N 生