Study of electrophysical properties of metal-semiconductor contact by the theory of complex systems

来源 :半导体学报(英文版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:ad5260
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The purpose of this work is to analyze the electrical properties of the metal-semiconductor contact (MSC) in the framework of the theory of complex systems.The effect of inhomogeneity of the different microstructures: polycrystalline,monocrystalline,amorphous metal-semiconductor contact surface is investigated,considering a Schottky diode (SD) as a parallel connection of numerous subdiodes.It has been shown that the polycrystallinity of the metal translates a homogeneous contact into a complex system,which consists of parallel connected numerous elementary contacts having different properties and parameters.
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