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近些年来,采用各种不同的沟槽栅结构使低压MOSFET功率开关的性能迅速提高。本文对该方面的新发展进行了论述。本文上篇着重于降低通态电阻Rds（on）方面的技术发展,下篇着重于降低优值FOM方面的技术发展。
沟槽栅低压功率MOSFET的发展（上）——减小漏源通态电阻Rds（on）
【摘 要】
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近些年来,采用各种不同的沟槽栅结构使低压MOSFET功率开关的性能迅速提高。本文对该方面的新发展进行了论述。本文上篇着重于降低通态电阻Rds（on）方面的技术发展,下篇着重于降
【机 构】
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北京工业大学功率器件及功率集成电路研究室
【出 处】
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中国集成电路
【发表日期】
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2008年5期
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