镀铂栅极抑制电子发射性能研究

来源 :稀有金属材料与工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户：guanhuaicn

【摘要】

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利用离子束辅助沉积(IBAD)方法在Mo栅极表面上沉积Pt膜,采用试验二极管方法测量和比较阴极活性物质Ba,BaO蒸发到镀铂栅极和纯钼栅极表面上后的电子发射性能.采用XRD,EDX,XPS

【作者】

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蒋军江炳尧任琮欣张福民冯涛王曦柳襄怀邹世昌

【机构】

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中国科学院

【出处】

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稀有金属材料与工程

【发表日期】

：

2005年11期

【关键词】

：

电子发射离子束辅助沉积钼栅极铂膜 electron emission ion beam assisted deposition Molybdenum

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利用离子束辅助沉积(IBAD)方法在Mo栅极表面上沉积Pt膜,采用试验二极管方法测量和比较阴极活性物质Ba,BaO蒸发到镀铂栅极和纯钼栅极表面上后的电子发射性能.采用XRD,EDX,XPS等测试手段对其栅极表面进行对比分析和表征.实验结果表明:镀铂栅极具有明显的抑制电子发射性能,并初步探讨了离子束辅助沉积Pt膜抑制栅电子发射的机理.

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