【摘 要】
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目的制备性能优异的氮化铝薄膜。方法采用射频感应耦合离子源辅助直流磁控溅射的方法制备氮化铝薄膜,在不同的气压下,在Si（100）基片和普通玻璃上生长了不同晶面取向的氮化铝薄
【机 构】
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华南师范大学物理与电信工程学院,华南师范大学实验中心
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目的制备性能优异的氮化铝薄膜。方法采用射频感应耦合离子源辅助直流磁控溅射的方法制备氮化铝薄膜,在不同的气压下,在Si（100）基片和普通玻璃上生长了不同晶面取向的氮化铝薄膜。使用X射线衍射仪（XRD）、场发射扫描电镜（FESEM）、原子力显微镜（AFM）分析氮化铝薄膜的结构、晶面取向、表面形貌及薄膜表面粗糙度,使用紫外可见分光光度计测定薄膜的透过率,并计算薄膜的禁带宽度。研究气压的大小对磁控溅射制备氮化铝薄膜微观结构的影响。结果在各气压下,薄膜生长以（100）面取向为主。在0.7 Pa前,（100）面的衍
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