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本文介绍了一种照明LED驱动芯片中功率管的研究与设计。该芯片采用CSMC0.6um5V标准CMOS工艺设计,功率驱动管采用EDNMOS结构,以提高功率管的耐压。芯片能直接驱动3W的照明LED,并在环境温度和电源电压在一定范围内波动时,提供恒定的电流输出。芯片的电源效率可达到75%以上。
3W照明LED驱动芯片中功率管的设计研究
【摘 要】
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本文介绍了一种照明LED驱动芯片中功率管的研究与设计。该芯片采用CSMC0.6um5V标准CMOS工艺设计,功率驱动管采用EDNMOS结构,以提高功率管的耐压。芯片能直接驱动3W的照明LED,
【机 构】
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华侨大学信息科学与工程学院
【出 处】
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科技创新导报
【发表日期】
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2010年34期
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