【摘 要】
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GaN HEMT凭借其高电子迁移率、高二维电子气浓度和高击穿电压等特性,在高频、高温和高功率密度领域有着广泛的应用,是功率器件的研究热点。文中对GaN HEMT中应用的场板技术进
【机 构】
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南京邮电大学射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室,南京邮电大学电子与光学工程学院
【基金项目】
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国家自然科学基金(61574081,61874059),中国博士后科学基金(2018M642291)资助项目
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GaN HEMT凭借其高电子迁移率、高二维电子气浓度和高击穿电压等特性,在高频、高温和高功率密度领域有着广泛的应用,是功率器件的研究热点。文中对GaN HEMT中应用的场板技术进行了归类与综述,讨论了源场板、栅场板、漏场板、浮空场板和结型场板共5种场板技术,并从工作机理、性能指标以及工艺复杂度等方面进行了分析。结果表明,场板技术的引入能够显著提高器件的性能和可靠性,并且与其他电场优化技术相兼容,可以有效提高BFOM优值和JFOM优值,改善器件设计的折中关系,但同时会引入寄生电容,增加工艺复杂度。因此,如何
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