论文部分内容阅读
采用射频磁控溅射技术在硅基底上分别制备了无掺杂和掺杂Cu的氧化钒薄膜．X射线衍射（XRD）分析和扫描电子显微镜（SEM）观察表明，无掺杂的薄膜为多晶V2O5，掺杂Cu的薄膜为非晶态．X射线光电子能谱（XPS）分析结果表明，掺杂Cu的薄膜为铜钒氧化物膜，其中Cu离子表现为＋2价，V离子为＋4与＋5价的混合价态．随着Cu掺杂量的增大，＋4价V的含量增加．电化学测试结果表明，V2O5，薄膜在掺杂Cu以后其放电容量有显著的提高，其中Cu2，VO4.4薄膜在100次循环后容量还保持为83．4μA·h