【摘 要】
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以AZO陶瓷为基体,采用传统的固相烧结技术制备了ZrO2掺杂AZO防静电陶瓷,研究了不同烧结温度、ZrO2掺杂量对AZO陶瓷的表面电阻率、相对密度、维氏硬度的影响。通过XRD测定陶瓷
【机 构】
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深圳大学材料学院,深圳市特种功能材料重点实验室,深圳陶瓷制备先进技术工程实验室
【基金项目】
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深圳市基础研究项目（JCYJ20160422144751573,JCYJ20160422104921235,JCYJ20140418181958489）
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以AZO陶瓷为基体,采用传统的固相烧结技术制备了ZrO2掺杂AZO防静电陶瓷,研究了不同烧结温度、ZrO2掺杂量对AZO陶瓷的表面电阻率、相对密度、维氏硬度的影响。通过XRD测定陶瓷的物相结构,SEM观察陶瓷的断面形貌,表面电阻测试仪测量陶瓷的表面电阻,维氏显微硬度仪测量陶瓷的维氏硬度,阿基米德排水法测量陶瓷密度等方法对ZrO2掺杂AZO陶瓷进行了分析表征。结果表明：当烧结温度为1450℃,ZrO2的掺杂量为1wt%时,其综合性能最佳。此时陶瓷表面电阻率为10~5Ω·cm,相对密度达97.61%
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