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UV-LIGA技术是制作大高宽比微电子机械(MEMS)的方法之一,而UV-LIGA技术的关键工艺之一为深度紫外光刻.由于紫外光衍射效应影响紫外光刻的微结构图形精度.本文主要研究了衍射效应对深紫外光刻精度的影响,并与实验结果进行了比较,理论模拟结果和实验比较吻合.因此,可以通过模拟结果得到不同厚度光刻胶的最佳曝光剂量,以便得到高质量的微结构图形.