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GaN基发光二极管（LED）作为目前固态照明和显示等应用中最核心的器件，在完全发挥材料性能的道路上还存在着一些困难。针对蓝光LED内量子效率低和白光LED应用中缺乏简易制备方法的现状，本研究组做出了有意义的富有创新性的工作：提出的宽窄耦合量子阱结构的LED使得蓝光LED的内量子效率得到了很大的提高；通过生长一个用于调节量子阱中的应变和局域化的InGaN插入层，制备出了同一发光层出射白光的单芯片白光LED。