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为了给基片无损检测工程提供强有力的理论基础，提出三种形态的缺陷粒子散射模型。针对基片与缺陷粒子的半空间问题，吸收边界使用了广义完全匹配吸收层，结合三波技术引入激励源给出相应的连接边界条件并将互易性定理应用到近远场外推中使过程简化。数值计算给出了镶嵌于基片中的多种几何体Cu和SiO2缺陷粒子的散射场的角分布及p偏振和S偏振下镶嵌Cu球体粒子的电场分布。结果显示：角分布和场分布跟粒子形态关系密切。椭球体散射场的震荡明显比柱体场震荡激烈。在s偏振下电场强度分布差值极小，不利于通过分析场值分布特点反演缺陷特征值。