Cu^2+离子掺杂纳米SiO2材料中346nm光致发光带

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采用溶胶-凝胶技术制备了Cu2+掺杂纳米SiO2材料,测量了材料的光致发光性能.X射线衍射及透射电子显微镜测试结果表明:Cu2+掺杂纳米SiO2材料具有微晶结构,颗粒尺寸为20~30 nm.对其光致发光谱的测定显示:微量Cu2+掺杂的样品在220 nm激发时存在着唯一的很强主峰,位于346 nm左右的紫外发光峰.通过对比不同掺杂浓度、不同煅烧温度及氢化处理对该紫外峰的影响,对346 nm紫外发光峰可能的起源进行了初步探讨.
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