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化学机械抛光是单晶硅衬底和集成电路制造中的关键技术之一,然而,传统的化学机械抛光技术还存在一定的缺点或局限性,为了得到更好的硅片平整度和表面洁净度,在300mm硅片的生产中采用了双面化学机械抛光技术。对双面化学机械抛光的优点以及系统变量对抛光速度和抛光质量的影响进行了详细地分析。
300mm硅片化学机械抛光技术分析
【摘 要】
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化学机械抛光是单晶硅衬底和集成电路制造中的关键技术之一,然而,传统的化学机械抛光技术还存在一定的缺点或局限性,为了得到更好的硅片平整度和表面洁净度,在300mm硅片的生
【机 构】
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北京有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2006年08期
【基金项目】
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国家863资助项目(2004AA3Z1140)
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