【摘 要】
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基于结合形变势的K-P(Krnig-Penney)理论框架,对应变Si1-xGex/(100)Si材料电子有效质量(包括导带能谷电子纵、横向有效质量,导带底电子态密度有效质量及电子电导有效质量)
【机 构】
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中电集团13所河北普兴电子科技股份有限公司,西安电子科技大学微电子学院
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基于结合形变势的K-P(Krnig-Penney)理论框架,对应变Si1-xGex/(100)Si材料电子有效质量(包括导带能谷电子纵、横向有效质量,导带底电子态密度有效质量及电子电导有效质量)进行了系统的研究。结果表明:应变Si1-xGex/(100)Si材料导带能谷电子纵、横向有效质量在应力的作用下没有变化,导带底电子态密度有效质量在Ge组份较小时随着x的增加而显著减小,沿[100]方向的电子电导有效质量随应力明显降低。以上结论可为应变Si1-xGex/(100)Si材料电学特性的研究提供重要理论依据。
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