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可控硅是直流输电系统的核心元件，因此对可控硅保护的研究十分必要。可控硅在熄灭过程中，如果突然承受正向电压，可能出现局部导通产生局部过热导致可控硅遭受破坏的情况。为避免这种情况的发生，设置了反向恢复触发保护，该功能向可控硅发一触发脉冲使之均匀导通。对可控硅反向恢复期的情况进行了介绍，分析了现有反向恢复触发保护电路的工作原理及存在的缺陷，并从如何改进保护动作的灵敏}生和可靠性方面提出了建议。