【摘 要】
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在玻璃和硅衬底上利用高真空直流磁控溅射的方法淀积了结构为Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀薄膜。分别研究了增加磁电阻率,降低矫顽力和提高交换场的方法
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在玻璃和硅衬底上利用高真空直流磁控溅射的方法淀积了结构为Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀薄膜。分别研究了增加磁电阻率,降低矫顽力和提高交换场的方法。经过结构的改善和工艺条件的优化后,使自旋阀的磁电阻率达到9.12％,矫顽力为1.04×(10~3/4π)A/m。通过2min的RIE使矫顽力减小33％,而磁电阻率几乎不受影响。利用CoFe/Cu/CoFe SAF结构使交换场从180×(10~3/4π)A/m上升到600×(10~3/4π)A/m左右。这种高性能的自旋阀适用于具有广泛前景的GMR传感器。
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