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研究制备了Ｌａ０．６７Ｂａ０．３３Ｍｎ１－ｘＦｅｘＯ３（ｘ＝０，０．０５，０．１）材料。结果表明：铁替换锰降低了材料的饱和磁化强度及居里温度，主要是因为Ｆｅ离子不参加双交换作用，同时Ｍｎ＾３＋－Ｏ＾３－Ｍｎ＾４＋的作用对随铁离子替代Ｍｎ＾３＋而数量减少，材料的铁磁作用随之减弱。铁替换降低了金属－半导体转换峰温度，相应提高了材料的零场电阻值。值得注意的是铁掺杂提高了大磁阻材料Ｌａ０．６７Ｂａ０．３３Ｍｎ１－ｘＦｅｘＯ３的低温性能，５Ｋ下磁阻比「Ｒ（６Ｔ）－Ｒ（０）」Ｒ（０）从ｘ＝０时的－４０％增加到ｘ＝０．