O2/Ar比例对直流脉冲磁控溅射制备TiO2薄膜光催化性能的影响

来源 :真空科学与技术学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xiaotao_8730
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利用直流脉冲磁控溅射方法在不同O2/Ar比例条件下制备具有不同结构、性能的TiO2薄膜,利用台阶仪、X射线衍射仪及紫外一可见分光光度计等仪器,对薄膜的结构、透光性能、光催化性能等进行表征。研究结果表明:T峨薄膜的结构、光催化性能等强烈依赖于沉积过程中的O2/Ar比例。在低O2/Ar比例条件下制备的TiO2薄膜,薄膜处于0控制生长阶段,相应薄膜处于高速生长状态,薄膜经退火处理后形成锐钛矿(101)相择优取向结构,同时薄膜对甲基橙溶液降解率较低。随着(O2/Ar比例的增加,薄膜生长速率逐渐降低,薄膜逐渐呈现多
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