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利用超构表面结构实现硅介质内局域电磁场的极大增强,进而实现强烈增强的三次谐波激发(THG).该超构表面结构由L形的单晶硅共振子组成,通过调节抽运波长与超构表面共振波长重合,可以实现最高220倍的THG增强,THG的转化效率提升至~3×10^–7.数值模拟和THG信号的空间扫描结果表明,场增强主要源于超构表面结构中心区域处的共振模式耦合效应.此外,实验结果表明该结构的共振模式具有明显的偏振选择性,且THG信号同样为线偏振光,消光比为15 dB.