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A Comparative Study of Fabrication of Long Wavelength Diode Lasers Using CCl<sub>2&

来源 :光学与光子学期刊(英文) | 被引量 : 0次 | 上传用户：chinasee_liang

【摘 要】

：

We report comparatively on fabrication of two-section ridge-waveguide tapered 3 quantum well (QW) InGaAsP/InP (1300 nm) and 5 QW AlGaInAs/InP (1550 nm) diode la

【作 者】

：

B. Cakmak M. Biber T. Karacali 

【机 构】

：

1ErzurumTechnicalUniversity,A?r??brahim?e?enUniversity,DepartmentofElectricalandElectronicsEngineeri

【出 处】

：

光学与光子学期刊(英文)

【发表日期】

：

2013年2期

【关键词】

：

Diode LASERS FABRICATION Two-Section Ridge-Waveguide CCl2F2/O2 and H2/CH4 Diode 

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We report comparatively on fabrication of two-section ridge-waveguide tapered 3 quantum well (QW) InGaAsP/InP (1300 nm) and 5 QW AlGaInAs/InP (1550 nm) diode lasers. Gas mixtures of CCl2F2/O2 and H2/CH4 were used to form ridge-waveguide on the lasers with

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