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通过在Si面P型4H—SiC外延层上使用P^＋离子注入来形成n阱．Ti和Ni依次淀积在有源区的表面，金属化退火后的XRD分析结果表明Ni2Si是主要的合金相．XEDS的结果表明在Ni2Si／SiC界面处存在一层无定型C．去除Ni2Si合金相与无定型C之后重新淀积金属，不经退火即可形成欧姆接触．同时，注入层的方块电阻Rsh从975下降到438Ω／□．结果表明，合金化退火过程中形成了起施主作用的C空位（Vc）．C空位提高了有效载流子浓度并对最终形成欧姆接触起到了重要作用．