化学氧碘激光器光学基片材料的光致热畸变特性

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【摘要】

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利用格林函数解析法对强激光辐照下的光学材料Al2O3、CaF2、Si、SiO2四种基片的温度场分布以及热畸变特性进行了分析与讨论.计算结果表明:在10lW激光功率、辐照时间为5 s情况

【作者】

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彭玉峰程祖海盛朝霞余文峰张虎周次明

【机构】

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河南师范大学物理与信息工程学院,华中科技大学激光技术国家重点实验室

【出处】

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中国激光

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

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光电子学与激光技术化学氧碘激光器窗口材料热畸变

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利用格林函数解析法对强激光辐照下的光学材料Al2O3、CaF2、Si、SiO2四种基片的温度场分布以及热畸变特性进行了分析与讨论.计算结果表明:在10lW激光功率、辐照时间为5 s情况下,Al2O3、CaF2、Si、SiO2基片中心处最大温升分别为5.6℃、6.0℃、35.1℃、26.6℃;基片中心最大热畸变量分别为:0.28μm,0.99μm,040μm,0.14μm.

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