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意法半导体推出250A表面贴装的功率MOSFET晶体管。新产品STV250N55F3整合ST PowerSO-10封装和引线带楔焊键合技术,无裸晶片封装的电阻率极低。采用ST的高密度STripFETⅢ制程,典型导通电阻仅为1.5mΩ。
STV250N55F3：250A功率MOSFET
【摘 要】
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意法半导体推出250A表面贴装的功率MOSFET晶体管。新产品STV250N55F3整合ST PowerSO-10封装和引线带楔焊键合技术,无裸晶片封装的电阻率极低。采用ST的高密度STripFETⅢ制程,
【出 处】
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世界电子元器件
【发表日期】
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2008年10期
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