【摘 要】
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AgInS_2为Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ_2族半导体化合物,它的室温禁带宽度为1.9eV。近年来对Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族半导体化合物的研究日益深入,探索AgInS_2作为光伏转换材料,以及它与其它Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族化合
【机 构】
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中国科学院长春应用化学研究所,中国科学院长春应用化学研究所
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AgInS_2为Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ_2族半导体化合物,它的室温禁带宽度为1.9eV。近年来对Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族半导体化合物的研究日益深入,探索AgInS_2作为光伏转换材料,以及它与其它Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族化合物形成多元固溶体光伏转换材料的研究工作也正在进行。Gorska等报道了喷涂热解AgInS_2和AgIn_5S_8薄膜的结果,但没有获得所需要的黄铜矿结构的AgInS_2,而得到了正交结
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