【摘 要】
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为使KTN热释电薄膜能够在较宽的温度范围内有较高的热释电系数.本文在Pt/Ti/SiO/Si基片上采用Sol-Gel法制备了两种多组分成分非梯度分布的KTN热释电薄膜.用XRD分析了薄膜的晶相结构,并研究了其铁电、介电和热释电性能.结果表明,两种薄膜均具有钙钛矿型结构,且均可观察到典型的电滞回线.在100kHz频率下,Ⅰ型薄膜在16~43℃,ε=332,tgδ=0.21,14~46℃平均热释电系数
【机 构】
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湖北大学化学与材料学院(湖北武汉)
【出 处】
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第五届中国功能材料及其应用学术会议
论文部分内容阅读
为使KTN热释电薄膜能够在较宽的温度范围内有较高的热释电系数.本文在Pt/Ti/SiO<,2>/Si基片上采用Sol-Gel法制备了两种多组分成分非梯度分布的KTN热释电薄膜.用XRD分析了薄膜的晶相结构,并研究了其铁电、介电和热释电性能.结果表明,两种薄膜均具有钙钛矿型结构,且均可观察到典型的电滞回线.在100kHz频率下,Ⅰ型薄膜在16~43℃,ε<,r>=332,tgδ=0.21,14~46℃平均热释电系数为3.246×10<-4>C/(cm<2>·K),计算所得F<,v>=3.58×10<-7>C·cm/J,F<,d>=1.42×10<-5>C·cm/J. Ⅱ型薄膜在17~46℃,ε<,r>=987,tgδ=0.18,14~44℃平均热释电系数为2.797×10<-4>C/(cm<2>·K),电压响应优值为1.04×10<-7>C·cm/J,探测度优值为7.69×10<-6>C·cm/J.
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