【摘 要】
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利用浸渍CsI的方法在微孔晶体材料12CaO·7Al2O3(C12A7)表面掺杂Cs元素并对其进行场发射扫描电镜、透射电子显微镜、X射线衍射以及电子顺磁共振的表征.场发射扫描电镜以及透
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利用浸渍CsI的方法在微孔晶体材料12CaO·7Al2O3(C12A7)表面掺杂Cs元素并对其进行场发射扫描电镜、透射电子显微镜、X射线衍射以及电子顺磁共振的表征.场发射扫描电镜以及透射电子显微镜的结果均证实CsI沉积在C12A7的表面;X射线衍射证明C12A7的结构并没有被破坏;电子顺磁共振谱说明了浸渍后C12A7中的O-和O2-浓度也无明显变化.将浸渍后的同原始的Cl2A7进行比较发现,掺杂样品在结构和存储特性上均无明显变化.此外,对该材料的发射性能与温度和引出场的关系也进行了研究与分析.结果表明:浸渍CsI至C12A7表面不仅降低了氧负离子的发射温度,还大幅增强了发射强度;氧负离子发射增强的主要原因归结于浸渍CsI后其表观活化能的降低.
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