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采用热压烧结法制备出致密的短切SiCf增强LAS玻璃陶瓷复合材料，并讨论保温时间与热压压力对复合材料介电性能的影响。结果表明，测试频率在8-12GHz之间，复合材料复介电常数实部ε′由基体的7．6上升到10～100，虚部ε″由基体的0．34上升到40～160，介电损耗tgδ由基体的0．04上升到1-20，并具有明显的频散效应。随保温时间的延长或热压压力的提高，复合材料ε′增大，ε″与tgδ减小。此外，断口形貌的SEM观察表明，随保温时间的延长或热压压力的提高，复合材料界面层变厚。