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研究了施主杂质Ｎｂ的含量，ｘ（Ｎｂ）在１．０％～７．０％范围变化时对ＢａＴｉＯ３半导陶瓷的晶粒尺寸、铁电相变和电特性的影响，ｘ（Ｎｂ）在４．０％左右时观察到了掺杂疚的转变。阻抗行为揭示出高、低施主含量样品在晶粒边界和晶粒体内载流子导电的激发能不同，可由随施主含量增加，从纯钒空位到晶界处钒 空位和晶粒内部钛空位相结合的补偿缺陷模式的转变来解释。