【摘 要】
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利用MS500-B超高真空磁控溅射镀膜机，分别采用氧化法和还原法在普通玻璃基底上制备了二氧化钒（VOz）相变薄膜；并在20-80℃内往复变化时，利用XMT-100数字精密温度计和SX1934数字四探
【机 构】
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脉冲功率激光技术国家重点实验室,红外与低温等离子体安徽省重点实验室,电子工程学院403教研室,北京航天测控技术有限公司.北京100070
【基金项目】
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红外与低温等离子体安徽省重点实验室基金资助项目(2010A001004D)
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利用MS500-B超高真空磁控溅射镀膜机，分别采用氧化法和还原法在普通玻璃基底上制备了二氧化钒（VOz）相变薄膜；并在20-80℃内往复变化时，利用XMT-100数字精密温度计和SX1934数字四探针测试仪测量两类样品的电阻-温度特性曲线。结果表明，两类样品均具有热敏相变特性；氧化法制备薄膜的电阻为9．96～0．06kΩ，相变温度约为30℃；还原法制备薄膜的电阻为80．3～7．4kΩ，相变温度约为52℃。
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