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通过化学气相沉积方法在Si衬底上制备了规则排列的ZnO纳米线阵列．利用扫描电子显微镜观察了合成的氧化锌纳米结构的形貌，表明当In在前驱物中引入超过0．3g时，在Si衬底上合成的纳米结构都是纳米线阵列；高分辨透射电子显微镜图像、x射线图谱和x射线能谱均表明合成的ZnO纳米线阵列具有纤锌矿结构，择优沿（001）方向生长．提出了在Si衬底上生长ZnO纳米线阵列的机制．