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介绍了用光学制版设备制作GaAs器件光刻中除栅条掩模版外的其它各层掩模版,用高分辨率电子束制版设备制作线宽≤0.5μm、并能与光学设备制作的各层掩模版精确套刻的栅条掩模版,即电子束与光学混合制版技术.对解决两类制版系统制作的掩模版精确互套的方法、干法刻蚀等工艺过程做了必要的阐述.
电子束与光学混合制版技术在GaAs器件研制中的应用
【摘 要】
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介绍了用光学制版设备制作GaAs器件光刻中除栅条掩模版外的其它各层掩模版,用高分辨率电子束制版设备制作线宽≤0.5μm、并能与光学设备制作的各层掩模版精确套刻的栅条掩模
【机 构】
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河北半导体研究所
【出 处】
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微纳电子技术
【发表日期】
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2003年2期
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