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采用磁控溅射法在（001）SrTiO3基片上制备了LaNiO3氧化物薄膜，应用X射线衍射（XRD）、反射式高能电子衍射（RHEED）、原子力显微镜（AFM）、四探针测试仪等技术系统研究了沉积温度对LaNiO3薄膜结构和性能的影响。结果表明在较低的生长温度和较宽的温度范围内（250-400℃）都能得到外延LaNiO3薄膜。输运性质的测量结果表明在其它条件不变的情况下，250℃温度下生长的LaNiO3薄膜具有最高的电导率。