【摘 要】
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用飞秒脉冲激光照射砷化镓(gallium arsenide,GaAs)晶体,透射光出现了多级的干涉环.利用透射式Z-扫描光路,改变飞秒脉冲激光入射到GaAs晶体表面时的功率密度,观察到干涉环有
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院大学材料科学与光电技术学院
【基金项目】
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国家重点研发计划(批准号:2016YFA0301202),国家自然科学基金(批准号:11674311)资助的课题.
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用飞秒脉冲激光照射砷化镓(gallium arsenide,GaAs)晶体,透射光出现了多级的干涉环.利用透射式Z-扫描光路,改变飞秒脉冲激光入射到GaAs晶体表面时的功率密度,观察到干涉环有规律地收缩(或扩张):功率密度越大,出现的干涉环越多,张角也越大.高强度飞秒脉冲激光的非线性效应局部地改变了GaAs晶体的折射率,从而导致光程差的出现,这是一种非线性效应(克尔透镜).超快光脉冲在GaAs晶体里产生的克尔透镜不能像理想的薄透镜那样把光束聚焦,而是让透镜光束形成了干涉环.通过分析干涉环的变化,可以得到G
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