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比利时微电子研究中心（IMEC）宣称开发出全球首款在300mm晶圆上整合III—V族与矽晶材料的3DFinFET化合物半导体。IMEC的新制程目标是希望能持续微缩CMOS至7nm及其以下，以及实现混合CMOS—RF与CMOS光电元件的化合物。
研究人员开发出整合III—V族与矽材料的3DFinFET半导体
【摘 要】
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比利时微电子研究中心（IMEC）宣称开发出全球首款在300mm晶圆上整合III—V族与矽晶材料的3DFinFET化合物半导体。IMEC的新制程目标是希望能持续微缩CMOS至7nm及其以下，以及实现混
【出 处】
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电子世界
【发表日期】
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2013年22期
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