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报道了一种新型半绝缘键合SOI结构，采用化学气相淀积加外延生长键合过渡多晶硅层的方法实现了该结构．研制出的这种新结构，完整率大于85％，Si-Si键合界面接触比电阻小于5×10^-4Ω·cm^2．这种新结构可以广泛用于高低压功率集成电路、高可靠集成电路、MEMS、硅基光电集成等新器件和电路中．
一种新型半绝缘键合SOI结构
【摘 要】
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报道了一种新型半绝缘键合SOI结构，采用化学气相淀积加外延生长键合过渡多晶硅层的方法实现了该结构．研制出的这种新结构，完整率大于85％，Si-Si键合界面接触比电阻小于5×10^-4
【机 构】
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电子科技大学微电子与固体电子学院,模拟集成电路国家重点实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2006年10期
【基金项目】
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国家微电子预研资助项目（批准号：41308020413）,致谢感谢中国电子科技集团第24所12室、16室、6室、技质处等单位相关同志给予的支持和帮助.
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