【摘 要】
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已试制出具有p~+二栅和选择掺杂结构的低噪声AlGaAs/GaAs FET。采用了二维电子气的FET在MBE片上作成紧密间距电极平面结构。给出了0.5μm栅FET的室温性能:跨导为310mS/mm,在1
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已试制出具有p~+二栅和选择掺杂结构的低噪声AlGaAs/GaAs FET。采用了二维电子气的FET在MBE片上作成紧密间距电极平面结构。给出了0.5μm栅FET的室温性能:跨导为310mS/mm,在12GHz下噪声系数为1.2dB,相应增益为11.7dB。
Low noise AlGaAs / GaAs FETs have been fabricated with p ~ + gate and select doping structure. Two-dimensional electron gas FETs are used to make close-spaced electrode planar structures on MBE chips. The room temperature performance of a 0.5μm gate FET is given: 310mS / mm transconductance, 1.2dB noise figure at 12GHz, and corresponding gain of 11.7dB.
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