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针对非晶硅和有机薄膜晶体管的低迁移率问题，以高纯Zn为靶材，反应磁控溅射沉积、且在不同温度下退火的ZnO薄膜作为半导体活性层，成功地制备出基于ZnO材料的薄膜晶体管（ZnO-TFT），研究了退火温度对ZnO-TFT电特性的影响．结果表明：ZnO—TFT的载流子迁移率随退火温度的升高而明显增大，700℃退火的样品迁移率为8．00cm2／（V·s），阈值电压随退火温度的升高而明显减小，在较高温度下退火处理制备的ZnO-TFT呈现出较低的关态电流．结合X射线衍射谱、原子力显微镜和X射线光电子能谱对Zn