【摘 要】
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利用量子化学的密度泛函理论(DFT),对AlN的MOCVD生长中表面反应前体MMAl、DMAlNH2分别在理想、NH2覆盖AlN(0001)-Al面的吸附进行研究。通过分析表面吸附位、吸附能、分波态密
【基金项目】
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国家自然科学基金(61474058).
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利用量子化学的密度泛函理论(DFT),对AlN的MOCVD生长中表面反应前体MMAl、DMAlNH2分别在理想、NH2覆盖AlN(0001)-Al面的吸附进行研究。通过分析表面吸附位、吸附能、分波态密度图等,确定可能的稳定吸附结构和吸附倾向。研究发现:在理想和NH2覆盖的AlN(0001)-Al面,MMAl吸附在T4位和H3位,吸附概率相近,MMAl与表面形成3个Al-Als键(理想AlN表面)或3个Al-Ns键(NH2覆盖的AlN表面)。在理想AlN表面,DMAlNH2吸附在Top-Top位,与表面形成
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