在集成电路量产中减少氧化膜CMP(化学机械研磨)的缺陷

来源 :电子工业专用设备 | 被引量 : 0次 | 上传用户:minyuan07
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
在超大规模集成电路的生产中,减少氧化膜CMP中的各种缺陷一直是工程师们的工作焦点之一.实际上这些缺陷的尺寸、形状、深度等能为我们寻找它们的根源提供许多有益的信息.例如:在肉眼下可见的长、直、深的划伤可能与研磨垫修整器有关;只有在先进的检测设备下才可见的轻微、连续的划伤与与研磨剂有关.对常见缺陷进行分类,并提供一些可见的缺陷产生机制,同时也讨论了如何通过日常检测来监视真正产品上的缺陷.
其他文献