【摘 要】
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采用离子刻蚀工艺对钽酸锂晶体材料进行刻蚀加工,得到了反台面结构晶片,其厚度约为31.3μm,可用于制作高基频晶体谐振器。应用该晶体谐振器,在电路上采用差接桥型电路,设计了
【机 构】
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中国电子科技集团公司第二十六研究所,火箭军装备部驻西安地区第三军事代表室
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采用离子刻蚀工艺对钽酸锂晶体材料进行刻蚀加工,得到了反台面结构晶片,其厚度约为31.3μm,可用于制作高基频晶体谐振器。应用该晶体谐振器,在电路上采用差接桥型电路,设计了一种高频宽带晶体滤波器,其中心频率为63 MHz,3 dB带宽为780 kHz,阻带衰耗大于75 dB,工作温度为-55~+95℃。结果表明,采用离子刻蚀工艺能极大地提高晶体滤波器的工作频率上限。
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