【摘 要】
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基于离子敏感场效应晶体管（ISFET）基本结构及其电学特性，提出了一种应用标准CMOS工艺实现的多层浮栅结构pH-ISFET。利用CMOS标准工艺中LPCVD淀积的Si3N4钝化层作为氢离子敏感层，p
【机 构】
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浙江大学信息与电子工程学系、微电子技术与系统设计研究所
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基于离子敏感场效应晶体管（ISFET）基本结构及其电学特性，提出了一种应用标准CMOS工艺实现的多层浮栅结构pH-ISFET。利用CMOS标准工艺中LPCVD淀积的Si3N4钝化层作为氢离子敏感层，pad工艺形成微区域独立传感窗口。片上集成100邮×100μm电极提供参考电位，消除了外加参考电位引起的溶液电压分布不均的现象。缓冲液从pH值1-13范围内对ISFET进行了测量，器件阈值电压随溶液pH值变化的平均灵敏度为44mV／pH，线性度在10％范围内。本结构可用于生物微环境pH值集成传感芯片设
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